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第四百三十一章:3D堆叠

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接把3D堆叠技术定位成美国未来防卫技术转型的三大基础技术之一,这将成为美国八大国防战略的核心技术支撑平台,并且将会产生革命性影响。

所以说,像3D堆叠这种东西,未来注定是不平凡的存在。

现在倪光南总工爆出3D堆叠封装技术,实际这东西在开阳半导体那边已经有了一定的技术积累,只不过还没到全面爆发的时候罢了。

之前按照计划,如果开阳半导体还不能在短时间之内突破0.5微米制程技术,公司会直接采用3D堆叠技术来提升处理器性能。

在2000年之前,微处理器的晶体管数量还没有达到一定量级,所谓发热问题都还不算太显著,再加上RISC指令集的处理器在功耗与发热方面控制都还比较好,只要不是堆叠层数太多,大不了再提前弄出CPU风扇、水冷这种东西,其实也都还可以跟微处理器更新换代速度。

不过嘛,随着林本坚加入开阳半导体,带领团队迅速攻克0.5微米制程的工艺问题,于是在开阳915处理器项目中,最终还是没有打算那么早采用3D堆叠,选择传统方案,控制风险。

此前开发的相应技术转为备用,并且还继续投资进行完善,以备不时之需,万一哪天的工艺制程技术被卡住,说不定还可以拿这技术出来救火。

采用3D堆叠技术研制微处理器,未来会受到不同堆叠层之间间距太小所导致的散热难问题困扰,但如果将其用于存储设备,最难解决的散热问题便不会存在,基于内存设备工作性质来说,它压根儿是不会出现高发热的可能。

在2011年,那时候的全球各大内存设备公司纷纷转战3D堆叠技术,迅速推出各种堆叠层数高达三十多四十层的内存芯片出来,在占用同等面积大小情况下,可以十倍于传统的DDR3的内存容量、读写速度。

汪正国重生前,运用3D堆叠技术所制造的3D NAND内存芯片已经面世,并迅速更新迭代,完全有望直接革掉NAND/DRAM的命。

至于他今天为什么要把这种好东西公布出来,这倒是没什么好说,开阳半导体好歹已经把该申请的专利拿到手,此时公布这条技术路线,摆明是要整个行业动荡起来,扰乱目前已经稳定的技术发展路线,从而浑水摸鱼。

反正3D堆叠技术一旦申请专利,就会有公示期,那些顶级科技公司,哪个不是时刻关注着各国专利局的动向,什么新技术一出来,人家都会很快知道。

“就我看来,3D


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