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第四百一十章:SiGe BiCMOS

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CMOS光学传感器过程中遇到暗电流噪声问题一样,后来教授通过一系列工艺设计来巧妙解决,并最终推出高性价比的CMOS光学传感器,从此一举奠定学术大牛地位。

现如今,孟怀英开发CMOS射频芯片,也遇到学术界公认的固有缺陷:功率过低。

“基于CMOS工艺来研发射频芯片,固有问题在于功率过小,它确实无法和同时期的砷化镓射频芯片相比,目前横亘在全世界科研界面前头等难题便在于此,不过我们团队成功开发出一次CMOS混合结构,从而能够解决功率过小问题,使其可以初步满足中低功率微波射频所需。”

所谓CMOS混合结构,实际就是SiGe BiCMOS工艺,中文全称为:硅锗双极-互补金属氧化物半导体,这东西在功率上面相对还算勉强能接受,并且还完美继承CMOS工艺加工流程,成本也足够低廉,是一种很不错的半导体射频工艺技术。

SiGe BiCMOS工艺产品性能优点在于成本低,并且功率相对不错,甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代,一些不法分子以次充好,为了降低成本,便采用SiGe BiCMOS工艺T/R组件来制造相控阵雷达。

好吧,这只是开个玩笑而已,采用采用SiGe BiCMOS工艺制造的T/R组件功耗低、成本低、集成度高,被广泛用于T/R组件小型化和成本控制方面,其中以X波段相控阵雷达最有使用价值。

SiGe BiCMOS工艺的T/R组件不仅适用于X波段相控阵空天预警雷达,在Ka波段的T/R组件方面,因为集成度高、体积小,因此被运用于主动雷达导引头。

所谓主动雷达导引头,区别就在于美帝的AIM-7麻雀家族和AIM-120阿姆拉姆之间,前者因为导引头研发时代的工艺水平限制,无法容纳雷达发射机及接收机,即便勉强上马,这种导引头最终也只能用于AIM-54上面。

直到固态电子及集成电路出现,雷达组件可以有望实现小型化,才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办,而这便是主动雷达导引头的作用。

美帝有了小型化的主动雷达导引头,所以搞出AIM-120这种神器,而共和国现在却只能捣鼓AIM-7家族改进而来的半主动雷达导引头:霹雳11。

这两种导弹之间有巨大地差距,要说这种代差,大概跟三代机与四代隐身机之间差不多,完全是吊打。

所以嘛....


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