成熟，且在制备出来的芯片进程上要更大。”
“比如之前我们尝试过使用电弧放电法和激光烧蚀法来制备碳基芯片，两者能做到的芯片进程一个在微米级，另一个虽然达到了纳米级，但也超过了五百纳米。”
“要想绕开光刻机这一关键技术去加工雕刻碳基芯片，目前来说几乎不可能，很难很难。”
简单的解释了一下，赵光贵的目光落在手中的芯片上。
事实上，想要绕开光刻机去制备碳基芯片的，又何止是眼前这位一个。
其他的不说，华威海思、中芯国际，甚至联发科，台积电，英特尔等等的半导体晶圆代工厂都想找到一条绕开光刻机加工芯片的道路。
这段时间他负责和华威海思、中芯国际等团队的人配合生产研究碳基芯片的时候，也向那些专业的芯片研发人员咨询过这个问题。
这条路不是那么容易走的。
人类在半导体的发展上走了几十年，才最终确定了硅基芯片这条路。
其原因在于硅的成本效益高、化学稳定性好、半导体属性优秀、加工技术成熟等等原因。
尤其是半导体属性优秀，是其中非常关键的一点。
硅是一种天然的半导体材料，它在纯净形态下电阻大，在添加少量杂质（掺杂）后，可以控制其电导性，从而有效地在导电与绝缘之间切换，这是制造芯片时不可或缺的属性。
相对比硅来说，其他的材料在这方面都有着自己的缺陷。
比如人类最早使用的锗基芯片。
锗是最早用于晶体管的材料，但由于其在地壳中的含量较低，导致成本较高，且稳定性不如硅，因此逐渐被硅取代。
还有现在他们研发的碳基芯片。
虽然说碳基材料虽然具有一些优势，如更高的运行速度和更低的功耗，但其热导率较低，加工难度大且成本高，这些问题都极大限制了碳基芯片的广泛应用。
尤其是掺杂电路控制和大规模的排列碳纳米管或石墨烯片，都是碳基芯片生产过程中的巨大难题。
相对比之下，硅材料的优势要大很多很多了。
虽然说高纯度的单晶硅、光刻胶等等都是难题，但它最大的难题还是光刻机。
只有顶尖的光刻机，才能制备出更低纳米的硅基芯片。
毫不夸张的说，在目前人类所研究过的芯片制备技术中，硅基芯片是最简单的一条。
而即便是其中最简单一条
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